La tecnolog\u00eda permite la existencia de SSDs de formato gumstick con m\u00e1s de 3,5 terabytes (TB) de almacenamiento.<\/p>\n
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San Pablo. Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) e Intel Corporation han revelado el lanzamiento de la tecnolog\u00eda 3D NAND, la memoria flash de mayor densidad del mundo.<\/p>\n
Esta nueva tecnolog\u00eda 3D NAND, que fue desarrollada en conjunto por Intel y Micron, apila capas de celdas de almacenamiento de datos de forma vertical con una precisi\u00f3n extraordinaria para crear dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces mayor que la de las tecnolog\u00edas NAND de la competencia. Esto proporciona mayor almacenamiento en un espacio m\u00e1s reducido, lo que genera una significativa disminuci\u00f3n de costos, bajo uso energ\u00e9tico y alto desempe\u00f1o para una amplia gama de dispositivos m\u00f3viles de consumo, as\u00ed como para las m\u00e1s exigentes herramientas empresariales.<\/p>\n
La memoria flash NAND plana se est\u00e1 acercando a sus l\u00edmites pr\u00e1cticos de expansi\u00f3n, lo que constituye un gran desaf\u00edo para el sector de memorias. La tecnolog\u00eda 3D NAND tiene la capacidad de generar un impacto significativo al mantener las soluciones de almacenamiento flash alineadas con la Ley de Moore, es decir, el camino seguido para obtener mayor desempe\u00f1o y menores costos de forma continua, y as\u00ed lograr un uso m\u00e1s generalizado del almacenamiento flash.<\/p>\n
Arquitectura de Procesos<\/strong> La nueva tecnolog\u00eda 3D NAND apila celdas flash de forma vertical en 32 capas para obtener una celda multinivel (MLC, por sus siglas en ingl\u00e9s) de 256 Gb y un chip de celda de nivel triple (TLC, por sus siglas en ingl\u00e9s) de 384 Gb que cabe en un formato est\u00e1ndar. Estas propiedades producen SSDs de formato gumstick con m\u00e1s de 3,5 TB de almacenamiento y SSDs de tama\u00f1o est\u00e1ndar de 2,5 pulgadas con m\u00e1s de 10 TB. Como la capacidad se obtiene mediante la superposici\u00f3n de las celdas de forma vertical, las dimensiones de cada celda pueden ser considerablemente m\u00e1s grandes. Con esto se espera que aumente tanto el rendimiento como la resistencia, y que incluso los dise\u00f1os TLC sean apropiados para el almacenamiento de centro de datos.<\/p>\n Las principales caracter\u00edsticas de esta nueva tecnolog\u00eda 3D NAND incluyen:<\/p>\n \u2022Grandes Capacidades<\/strong> \u2013 capacidad tres veces mayor que la de la tecnolog\u00eda 3D existente \u2013 hasta 48 GB de NAND por chip \u2013 lo que permite que tres cuartos de terabyte quepan en un formato \u00fanico del tama\u00f1o de la punta de un dedo.<\/p>\n
Uno de los aspectos m\u00e1s relevantes de esta tecnolog\u00eda es la propia celda fundamental de memoria. Intel y Micron decidieron utilizar una celda floating gate, un dise\u00f1o usado de forma generalizada que ha sido perfeccionado a lo largo de a\u00f1os de fabricaci\u00f3n en masa de dispositivos flash planares. Esta es la primera vez que se utiliza una celda floating gate en la tecnolog\u00eda 3D NAND, que era una opci\u00f3n esencial de dise\u00f1o para obtener mejor desempe\u00f1o y aumentar la calidad y la confiabilidad.<\/p>\n